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为何坡莫合金磁阻传感器遇到较强的磁场,其灵敏度会降低
如题所述
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第1个回答 2020-05-15
因为根据牛顿第一定律(万有引力定律)可知,当
磁场强度
达到F=ma的时候,物质内部
的电子
会由散乱变成更加散乱,增加了光的
漫反射
,形成了
热力学
上的
临界状态
,促使其自身周围的
声波
波形
紊乱,致使
空气电离
,再根据
爱因斯坦
的
相对论
,物质越不稳定,
结构
越紧密,因此
电阻
会增大,从而导致
灵敏度
降低。
相似回答
为何坡莫合金磁阻传感器遇到较强的磁场,其灵敏度会降低
答:
因为根据牛顿第一定律(万有引力定律)可知,当磁场强度达到F=ma的时候,物质内部的电子会由散乱变成更加散乱,增加了光的漫反射,形成了热力学上的临界状态,促使其自身周围的声波波形紊乱,致使空气电离,再根据爱因斯坦的相对论,物质越不稳定,结构越紧密,因此电阻会增大,从而导致
灵敏度降低
。
为何坡莫合金磁阻传感器遇到较强磁场
时
灵敏度会降低
如何恢复原来
的
灵敏...
答:
如果在传感器的敏感轴方向上施加超过10×10-4T的磁场,
会打乱传感器磁阻内部磁畴的极化方向,改变传感器的输出特性,使输出的信号变弱,灵敏度降低Ζ为消除这种历史上的
“不良影响”。需要重新设置这些磁畴的极化方向来恢复传感器的灵敏度Ζ只要在置位和复位电流带上施加一个极短置位的脉冲(小于2Λs),可...
为何坡莫合金磁阻传感器遇到较强磁场
时
其灵敏度会降低
答:
磁畴饱和现象。坡莫合金磁阻传感器遇到较强磁场时,其灵敏度会降低,
主要是因为磁阻材料在强磁场作用下会产生磁畴饱和现象
,外加磁场很难改变磁阻材料的阻值,所以传感器灵敏度会降低。
为何
各向异性磁电阻
传感器遇到较强磁场
时
,其灵敏度会降低
?
答:
此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。HMC1021Z型
磁阻传感器
由长而薄的
坡莫合金
(
铁镍合金
)制成一维磁阻微电路集成芯片。它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在硅片上,如图1所示。薄膜的电阻率 依赖于磁化强度 和电流 方向间的夹角 参考资料:天涯问答 ...
为什么
地
磁场会
影响到
磁阻传感器的灵敏度
?
答:
磁阻传感器
正是利用这一原理制成的。磁性材料(如
坡莫合金
)具有各向异性,对它进行磁化时,其磁化方向将取决于材料的易磁化轴、材料的形状和磁化磁场的方向。当给带状坡莫合金材料通电流I时,材料的电阻取决于电流的方向与磁化方向的夹角。如果给材料施加一个磁场B(被测磁场),就会使原来的磁化方向转动。
为何
各向异性磁电阻
传感器遇到较强磁场
时
,灵敏度会降低,
用什么
答:
1、饱和效应:当磁场达到一定强度时,AMR传感器中的磁性材料会出现饱和现象,即磁化强度达到上限,无法继续增加。此时,磁场对传感器的影响就变得非常小
,传感器的灵敏度会降低
。2、采用磁场屏蔽技术,将传感器周围
的磁场
屏蔽掉,以减小外界磁场的影响。
电子罗盘的分类
答:
磁阻传感器
的主要问题是其翻转效应,这是其原理所固有的。如前所述,在使用前对磁性材料进行了磁化,此后如果遇到了
较强的
相反方向
的磁场
(大于20高斯)就会对材料的磁化产生影响,从而影响传感器的性能。在极端情况下,会使磁化方向翻转180。这种危险虽然可以利用周期性磁化的方法加以消除,但仍存在问题。对...
锑化铟
磁阻传感器
在弱磁场中电阻值与磁感应强度的关系和在
强磁场
中...
答:
因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小。实验证明,当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R(0)正比于磁感应强度B的平方,而在
强磁场
中ΔR/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系。
磁阻传感器的
上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。...
锑化铟
磁阻传感器
在弱磁场时和
强磁场
时的电阻值与磁感应强度关系有何不...
答:
在
强磁场
中 与磁感应强度B呈线性关系 当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般
磁阻传感器
电阻相对变化率 正比于磁感应强度B的平方
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