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已知图为所示电路中的晶体管为硅管
图示的晶体管
均
为硅管
,测量的静态电位如图
所示
,处于放大状态的晶体管是...
答:
【答案】:C 当发射结正偏、集电结反偏时,三极管工作在放大状态。A中,发射结反偏;B中,集电结正偏;D中,集电结正偏。
所示电路中晶体管
均
为硅管
,B很大,试求Ic,Uce,Uo
答:
因为β很大,Ib可以忽略,所以Ic=Ie,并设二极管正向压降Ud=Ube,Ud通常为0.7V,于是有:Ic=Ie=Ud/Re=0.7/0.3=2.3〔mA〕Uo=Ucc-Ic*Rc=10-2.3*3=3.1〔V〕Uce=Ucc-Ic*(Rc+Re)=10-2.3*(3+0.3)=2.41〔V〕
如图
所示
各
电路
,
晶体管
均
为硅管
,β=30.分析三极管是否处于饱和状态...
答:
1、3图的
晶体管
饱和导通,因为晶体管基极电压≥1V,有足够电流通过而饱和;2图的晶体管基极为负压,电压≤0.7V,无电流通过而截止。
图示为
放大
电路的
直流通路,
晶体管为硅管
试求集电极电流Icq 。答案已有...
答:
Icq=βIbq=69x0.0475=3.28mA 此时三极管已经饱和,因为Icq(Rc+Re)=3.28x6=19.6V,等于电源电压11V,故只可用饱和电流来计算:饱和时三极管的Vce=0.3V,Ic=(11-0.3)/(1K+5K)=1.78mA。
如图
所示
各
电路
,
晶体管
均
为硅管
,β=30.分析三极管是否处于饱和状态...
答:
三极管模拟开关导通标的是基极电压≥1V就有足够电流通过而饱和导通,≤0.8V通过的电流不完全饱和但有限度导通(内阻偏大),为此,1》3》基极电压≥1V能有足够电流通过而饱和导通,2》基极电压≤0.7V而无电流通过而截止。
电路
如
下图所示
,Vcc=12V,
晶体管为硅管
,Vbe=0.7V,ß=50
答:
求静态工作点时要先画出它的直流通路,这个题,根据直流通路,可以求,至于后面3个问题,先画出其交流通路,然后再求,输入电阻是从输入端看进去的
电路
等效电阻,输出电阻是从输出端看进去的等效电阻,这是个典型的共射放大电路。模拟电子课本都有答案有例题参照 ...
已知
如
下图所示电路中
,三极管均
为硅管
(UBEQ=0.7V),且β=50,试估算静态...
答:
∵ 发射极电流 = ic + ib = ib * β + ib = ib * (1+β) ;∴ ib * Rb + 0.7 + ib * (1+β) * Re = 12 (v)∴ ib =(12-0.7)/ [ Rc +(1 + 50)* Re ]=(12-0.7)/ [ 100 + (1+50) * 1 ]=0.0748(mA)---因为代入的电阻值是kΩ,不是Ω...
...Ucc=12V,β=50,RB=240kΩ,RC=3kΩ,RL=2kΩ。
晶体管为硅管
,UBE=...
答:
Uce + Ic*Rc = Ucc ; Uce = Ucc - Ic*Rc;2)记住了,三极管微变
电路
(不管其组态为何)只说 基极和发射极之间等效为一个电阻 rbe 和 集电极与发射极之间等效为一个电流源 Ib*β,可没说集电极与基极之间的等效;然后再添加上外围的电阻;3)Uo = -Ic*(Rc//RL) = -Ib*β*(Rc//...
(电子技术问题求解在线等)
已知晶体管为硅管
,Ube=0.7,β=30其中_百度知 ...
答:
如图
所示
:Ib=(Vcc-Vces)/(βRc)=(12-0.3)/(30*3)=0.13mA,I2=[Vbe-(-12)]/Rb2=12.7/30=0.423mA,I1=Ib+I2=0.13+0.423=0.553mA,Rb1=(3-0.7)/I1=2.3/0.533=4.16K。要使
晶体管
饱和,4.16K是Rb1的最大值,再大晶体管就退出饱和进入放大区了。
...Ucc=12V,β=37.5,RB=300kΩ,RC=4kΩ,RL=4kΩ,
晶体管为硅管
,UBE...
答:
给你个参考,原图没有下偏置电阻Rb,当有下偏置电阻Rb,直接补上即可;红色圈圈
电路
就是三极管的微变等效电路;当有发射极电阻Re时(即不存在电容Ce),就这样加上该电阻就是了;
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已知图示电路中晶体管的
若右图所示电路中晶体管饱和
电路如下图所示
设晶体管的管压降不变
为了减小放大电路的输入电阻
在图示放大电路中
在基本放大电路的三种组态中
硅晶体管
pnp做开关的电路