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如图所示各电路,晶体管均为硅管,β=30.分析三极管是否处于饱和状态,并通过计算说明理由.
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推荐答案 2014-04-22
1、3图的晶体管饱和导通,因为晶体管基极电压≥1V,有足够电流通过而饱和;2图的晶体管基极为负压,电压≤0.7V,无电流通过而截止。
追问
亲,详细些好吗?
追答
只要基极电压≥1V,就能有足够电流通过晶体管而饱和导通;基极电压≤0.7V,将无电流或通过电流甚微而截止。
温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考
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如图所示各电路,晶体管均为硅管,β=30.分析三极管是否处于饱和状态
...
答:
三极管
模拟开关导通标的是基极电压≥1V就有足够电流通过而饱和导通,≤0.8V通过的电流不完全饱和但有限度导通(内阻偏大),为此,1》3》基极电压≥1V能有足够电流通过而饱和导通,2》基极电压≤0.7V而无电流通过而截止。
这道题怎么做?
答:
1.6 a ib=(6-0.7)/5 =1.06 mA,ic=β*ib=31.8mA,Uce=10-1*ic=10-31.8<Uces, 因此
处于饱和状态
,其余的类似分析
(电子技术问题求解在线等)已知
晶体管为硅管,
Ube=0.7
,β=30
其中
答:
如图所示:Ib=(Vcc-Vces)/(βRc)=(12-0.3)/(30*3)=0.13mA,I2=[Vbe-(-12)]/Rb2=12.7/30=0.423mA,I1=Ib+I2=0.13+0.423=0.553mA,Rb1=(3-0.7)/I1=2.3/0.533=4.16K。要使
晶体管饱和
,4.16K是Rb1的最大值,再大晶体管就退出饱和进入放大区了。
...写出判断过程。设所有
的三极管
和二极管
均为硅管
答:
截止状态:因为基极电压要达到0.7(基极压降)+0.7(D压降)+0.3=1.7V,才能形成基极电流,而实际只的1V。故基极电流为0,C极电流为0---截止状态。。。另一种分析:如果V1导通的话,E极电压=0.7(D压降)+0.3=1V,而B极电压也是1V,B-E压差=1-1=0,所以基极电流为0,C极...
分析电路
中
各硅晶体管的
工作
状态
(放大
,饱和,
截止或损坏)
答:
图1.基极电压高于发射机电压0.7V,其发射机时处于正偏,但其集电极电压低于基极,也处于正偏,因此图1
的三极管为饱和
;图2.发射结反偏
,三极管
肯定是截止了;图3.发射结正偏,但其远超0.7V的正偏电压,唯一的可能是是发射结断开了,那就是损坏;图4.发射结正偏,集电结反偏,三极管就处在...
各三极管均为硅管,
试判其工作
状态
答:
左边的工作于
饱和状态,
右边工作于放大状态。
请问三个
三极管的
工作
状态
怎么判断,假设三个管都是
硅管
(导通电压为0.7V...
答:
T1工作在截止状态,理由:要使T1发射结正偏,Vb应该为0.3+0.7+0.7=1.7V。T2工作在
饱和状态,
因为:按图所示数据,Ie=5.3V/1K=5.3mA>12/(1k+3)=4mA的集电极最大允许电流。T3工作在放大状态,发射结正偏,集电结反偏。
如何判断
电路
中
的
一个NPN
硅晶体管处于饱和,
放大,截止
状态
答:
3 饱和区 其特征是发射结与集电结
均处于
正向偏置,即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大,Ic小于βIb。在实际电路中,若
晶体管的
Ube增大时,Ib随之增大,但Ic增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Uce=0...
判断
晶体管的状态
答:
这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在
饱和状态
。PNP管判断如下:截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V)放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb;饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb。图(h)中
,三极管
是PNP,Ueb=12-11.7=0.3V;Uec=12-8=4V。这样,如果是
硅管,
则 Ueb<0.7V...
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