当材料处于磁场中时,导体或半导体内的载流子将受洛仑兹力的作用发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场.如霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应.如果将图1 中a、b端短接,霍尔电场将不存在,所有电子将向a端偏转,磁阻效应更明显.\x0d通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小,即用△ρ/ρ(0)表示,其中ρ(0)为零磁场时的电阻率,设磁电阻阻值在磁感应强度为B的磁场中电阻率为ρ(B),则△ρ=ρ(B)－ρ(0),由于磁阻传感器电阻的相对变化率△R/R(0)正比于△ρ/ρ(0),这里△R =R(B) －R(0),因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小.\x0d实验证明,当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感应强度B的平方,而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强度B呈线性函数关系.磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用.\x0d如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中,由于磁电阻相对变化量ΔR/R（0）正比于B2\x0d,那么磁阻传感器的电阻R将随角频率2ω作周期性变化.即在弱正弦波交流磁场中磁阻传感器具有交流电倍频性能.\x0d若外界交流磁场的磁感强度B为（1）
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