杂质和缺陷对半导体电性能产生影响的机理是什么

如题所述

施主和受主杂质可以提供载流子,增大电导率;非施主和受主杂质往往会产生复合中心,减短非平衡载流子寿命;缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用,使迁移率降低,降低电导率。

主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说,杂质越多,说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差,差可以导致物理指标下降:杂散电流随环境温度增加而增加;PN结的耐压程度和温度系数变劣。

扩展资料:

掺入半导体中的一类杂质或缺陷,它能接受半导体中的价带电子,产生同数量的空穴,从而改变半导体的导电性能.例如,掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中,受主的数量占多数,则这半导体是P型半导体,这种杂质或缺陷叫做受主。

半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。

参考资料来源:百度百科-杂质半导体

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第1个回答  2011-12-02
施主和受主杂质可以提供载流子,增大电导率;非施主和受主杂质往往会产生复合中心,减短非平衡载流子寿命;缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用,使迁移率降低,降低电导率。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
第2个回答  推荐于2018-04-01
半导体是硅元素是4介元素 平时不显电性是因为电子数和质子数是同等的且4个介电子相互被相邻的4个介电子束缚 当我们加入杂质如3介电子后因多出一个电子而成为自由电子 自由电子的自由运动就会产生电流 如果你参入的杂质有几万个3介原子 那自由电子的数量可想而知有多少了 自由电子对导体电性能的产生是起决定性作用的 所以有杂质和缺陷就会产生自由电子本回答被网友采纳
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