磁阻元件类似霍尔元件,但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。
与霍尔效应的区别如下;即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压,而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。
霍耳传感器的工作原理是基于霍耳效应,一般用它可以直接测量霍耳电势差的大小,测出磁场强度,也可用以判别磁感应强度方向。
磁阻传感器是利用置于磁场中的合金带自身的阻值发生变化来测量磁场的大小和方向。
与大多数固态传感器一样,磁阻传感器的工作电路是以非平衡电桥形式输出,它直接将磁阻变化转换成电压输出。
扩展资料:
霍尔器件在输入端通入控制电流IC,当有一磁场B穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔电势VH。
磁阻传感器已经能制作在硅片上,并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求,各方面的性能明显优于霍尔器件。
参考资料来源:百度百科-磁阻效应传感器
参考资料来源:百度百科-霍尔传感器