这个一般来讲都是尺寸大，容值大的叫高容，高压就好理解了，常用的都是6.3v 10V 16V 25V 50V这的，那像100V 200V 250V 500V 630V 1000V 2000V 这样的就称高电压的。高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，所以不建议使用在交流电路中。
容量、高耐压（630V/2.2μF~50V/350μF）低ESR化，允许的纹波电流更大，低ESL化，高频特性更好。容量损耗随温度频率具高稳定性，高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构，特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
介质为温度补偿型NPO介质。
NP0又名COG电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
介质为高介电常数型X7R介质。
X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
介质为半导体型X5R介质
X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。
优点：封装体积小,质量稳定，绝缘性能高，耐高压
缺点:容量较小，目前最大100UF，易于被脉冲电压击穿。
性能参数：
1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
4.封装0201-0805-1206-1812-2225
高压陶瓷贴片电容，可代替传统插件电容缩小电源体积。(LED电源专用)
规格主要有：
102/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
472/1KV 1206封装
103/1KV 1206封装
2.2u/100V 1812封装
473/250V 1206封装
473/630V 1206封装
10u/16V 1206封装
10u/25V 1210封装
22u/10V 1206封装
22U/16V 1210封装
以上都为X7R或X5R材质，容量精度为10%。
