光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。
光刻机工作原理：
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程，现在先进的芯片有30多层。
扩展资料
光刻机的种类：
一、接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。
1、软接触，就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面。
2、硬接触，是将基片通过一个气压（氮气）往上顶，使之与掩膜接触。
3、真空接触，是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合。
特点：光刻胶污染掩膜板，掩膜板的磨损，容易损坏,寿命很低，容易累积缺陷。上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。
二、接近式曝光（Proximity Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用。
特点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少，接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。
三、投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。
特点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。
参考资料来源：百度百科--光刻机
这个过程分为几个关键步骤。首先，硅片经过一系列的化学和物理处理，确保表面清洁和平滑，为光刻胶的涂覆做好准备。接着，将预先设计好的电路图案通过掩膜（mask）投射到光刻胶上。掩膜上的图案是由极薄的铬层组成的，这些铬层可以阻挡光线的通过。
曝光阶段是光刻机工作的核心。在这个阶段，紫外光通过掩膜上的透明部分照射到光刻胶上，而铬层则阻挡了光线的直接照射。光刻胶中的感光剂在紫外光照射下会发生化学变化，使得光刻胶在曝光部分变得可溶。
接下来是显影过程，这个过程需要使用一种特殊的溶剂来去除光刻胶中的不可溶部分。显影后的硅片上就留下了电路图案，这些图案将被用作后续的蚀刻和沉积过程的指引。
光刻机的精度取决于多个因素，包括光源的波长、掩膜的设计、光刻胶的特性以及光刻机的光学系统。随着技术的发展，光刻机已经能够实现纳米级别的分辨率，这对推动集成电路的微型化和性能提升起到了决定性的作用。